高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性


Autoria(s): 朱东海; 王占国; 梁基本; 徐波; 朱战萍; 张隽; 龚谦; 金才政; 丛立方; 胡雄伟; 韩勤; 方祖捷; 刘斌; 屠玉珍
Data(s)

1997

Resumo

介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性。激光器的室温连续输出功率达到2W。在95℃高温连续工作状态下,其输出功率仍可达到500mW的水平。器件的特征温度高达185K(35 ̄85℃)及163K(85 ̄95℃)。同室温相比,器件在95℃的工作条件下,其功率输出的斜效率下降了23%。

国家863计划

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19447

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104361

Idioma(s)

中文

Fonte

朱东海;王占国;梁基本;徐波;朱战萍;张隽;龚谦;金才政;丛立方;胡雄伟;韩勤;方祖捷;刘斌;屠玉珍.高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性,半导体学报,1997,18(5):391

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文