氧离子注入隔离的全内反射型光波导开关
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
研制了一种全内反射型InGaAsP/InP光波导开关。采用氧离子注入形成的高阻特性来作为载流子注入区的隔离。由此获得陡峭的反射面,改善了光开关的性能。在入射光波长为1.3 μm,注入电流为32 mA下得到光开关反射端消光比为18 dB,无注入时的关态串话为-19 dB。 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
庄婉如;杨培生;孙富荣;石志文;段继宁;邹正中;高俊华.氧离子注入隔离的全内反射型光波导开关,光子学报,1996,25(2):119 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
