新型DVD/VCD光学头用PDIC的研制

于2010-11-23批量导入

质子注入平面掩埋条形高频DFB激光器

报道了采用质子注入制作平面掩埋条形高频DFB激光器。质子注入提高了限制层对电流的限制作用，并减小了限制层的寄生电容；DFB激光器的斜率效率由注入前的0.147mW/mA提高到0.216mW/mA；电容测试结果表明

光通信用的硅基长波长光电探测器

国家863计划,国家自然科学基金

MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs（001）中六角相含量退火行为的研究

采用高温热退火的方法，在不同条件下对低压MOCVD在GaAs(001)衬底制备的立方GaN薄膜进行处理，利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化。报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征。在GaN/GaAs之间存在一个界面层，高温退火时，来自界面层的TO_B，LO_B声子的强度降低，而来自六角相的E_2声子增强，说明六角相含量增加。样品原结晶质量欠佳是六角相含量变化发生的主要原因。在较低的温度下，六角相含量没有明显变化，而且与退火时间无关。

Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备

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立方相GaN/GaAs（100）质量的X射线双晶衍射研究

于2010-11-23批量导入

InGaAsP/InP有源时分光子交换器件

自行设计并研制成功了两种有源时分光子交换器件:InGaAsP/InP EMPBH双稳激光器及InGaAsP/InP MQW DCPBH双稳激光器, 对这两种器件的部分性能作了简要报道。

高纯氮化镓外延材料的制备

用MOVPE方法在蓝宝石衬底上生长了高纯氮化镓(GaN)外延材料。未掺杂GaN显n型, 室温下(300K)背景电子浓度为1.6×10~1~7cm~-~3,电子迁移率为360cm~2/V.s。在195K附近电子迁移率达到峰值, 为490cm~2/V.s。发现了该材料中存在深施主能级, 其离化能约为38meV。

InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器

用国产MBE设备生长出与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InAlAs多量子阱材料，并对材料的量子限制Stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行研究。用该种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在2.4V驱动电压下实现了20dB以上消光比，光3dB带宽达3GHz。

In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化

国家863计划

LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管

利用LP-MOCVD外延生长AlGaInP DH 结构橙黄色发光二极管。引入厚层Al_(0.7)Ga_(0.3)As电流扩展层和Al_(0.5)Ga_(0.5)As-AlAs分布布拉格反射器(KBR)。20mA工作条件下，工作电压1.9V,发光波长峰值在605nm,峰值半宽为18.3nm,管芯平均亮度达到20mcd,最大29.4mcd,透明封装成视角(2θ_(1/2)15°的LED灯亮度达到1cd。

从CLEO’97会议看光电子学进展

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248nm KrF准分子激光零级抑制石英相位掩模器的研制

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高性能紫外写入光纤Bragg光栅的研制

采用未经任何特殊处理的B/Ge双掺光纤，以248nm的KrF准分子激光为光源用相位掩模技术研制出反射率大于98.5%的光纤Bragg光栅，并且使光栅反射谱的边瓣抑制达-20dB以下，其3dB带宽小于0.4nm，具有良好的滤波特性。

In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱GSMBE生长及特性研究

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