LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
利用LP-MOCVD外延生长AlGaInP DH 结构橙黄色发光二极管。引入厚层Al_(0.7)Ga_(0.3)As电流扩展层和Al_(0.5)Ga_(0.5)As-AlAs分布布拉格反射器(KBR)。20mA工作条件下，工作电压1.9V,发光波长峰值在605nm,峰值半宽为18.3nm,管芯平均亮度达到20mcd,最大29.4mcd,透明封装成视角(2θ_(1/2)15°的LED灯亮度达到1cd。 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王国宏;马骁宇;曹青;张玉芳;王树堂;李玉璋;陈良惠.LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管,半导体学报,1998,19(9):712 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
