质子注入平面掩埋条形高频DFB激光器
| Data(s) |
2000
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| Resumo |
报道了采用质子注入制作平面掩埋条形高频DFB激光器。质子注入提高了限制层对电流的限制作用，并减小了限制层的寄生电容；DFB激光器的斜率效率由注入前的0.147mW/mA提高到0.216mW/mA；电容测试结果表明 报道了采用质子注入制作平面掩埋条形高频DFB激光器。质子注入提高了限制层对电流的限制作用，并减小了限制层的寄生电容；DFB激光器的斜率效率由注入前的0.147mW/mA提高到0.216mW/mA；电容测试结果表明 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:23导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5541.pdf: 197586 bytes, checksum: 0ce11438587cbcc023caea5f1fb371e1 (MD5) Previous issue date: 2000 国家自然科学基金,国家863计划 中科院半导体所国家光电子工艺中心 国家自然科学基金,国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘国利;张佰君;朱洪亮;张静媛;汪孝杰;王圩.质子注入平面掩埋条形高频DFB激光器,半导体光电,2000,21(4):245 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
