高纯氮化镓外延材料的制备
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
用MOVPE方法在蓝宝石衬底上生长了高纯氮化镓(GaN)外延材料。未掺杂GaN显n型, 室温下(300K)背景电子浓度为1.6×10~1~7cm~-~3,电子迁移率为360cm~2/V.s。在195K附近电子迁移率达到峰值, 为490cm~2/V.s。发现了该材料中存在深施主能级, 其离化能约为38meV。 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘祥林;王晓晖;汪度;汪连山;王成新;韩培德;陆大成;林兰英.高纯氮化镓外延材料的制备,高技术通讯,1998,8(8):35 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
