InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管

采用金属有机物气相外延方法，研制了InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管。测量了其电致发光光谱，及发光强度与注入电流的关系。室温20mA的注入电流时，发光波长峰值为530nm，半高宽为30nm。注入电流小于40mA时，发光强度随注入电流单调递增。

Monolithic Integration DFB Laser Array by Angling Active Stripe and Using Thin-Film Stripe Heater

国家863计划

UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

利用SiH_4和GeH_4作为源气体，对UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si外延层的表面反应机理进行了研究，通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH_4的饱和吸附、热脱附过程，得出SiH_4的分解应该是每个SiH_4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面，SiH_4的吸附率正比于表面空位的4次方，并分析了GeH_4的表面吸附机制。在此基础上建立了UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟，二者符合得很好。

用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器

Si基共振腔型光电探测器的关键工艺是隐埋Bragg反射器镜面的制备。用PECVD方法在Si衬底上制备了SiO_xN_y/Si Bragg反射器，研究了Bragg反射器的反射谱和退火行为。

垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果。测试了它的光电流谱和量子效率。探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段。在1.3μm处量子效率为0.1%。量子效率峰值在0.95μm处达到20%。

High Efficiency Al-Free 980 nm InGaAs/ InGaAsP/ InGaP Strained Quantum Well Lasers

于2010-11-23批量导入

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构，并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED。

Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells

于2010-11-23批量导入

UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料

以Si_2H_6和GeH_4作为源气体，用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了Si_(1-x)Ge_x合金材料和Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱结构。用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究。结果表明样品的表面平整光滑，平均粗糙度为1.2nm；整个外延片各处的晶体质量都比较好，各处生长速率平均偏差3.31%，合金组分x值的平均偏差为2.01%;Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱材料的X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰，而且在卫星峰之间观察到了Pendellosung条纹，表明晶格质量和界面质量都很好；Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱材料的TEM照片中观察不到位错的存在。

Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grownon Ga As by Molecular Beam Epitaxy

集成光电子学国家重点实验室基金,国家863计划,国家自然科学基金,中科院项目

半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器

于2010-11-23批量导入

A Quasi-Therm odynam ic Model of MOVPE of InGaN

国家863计划,国家自然科学基金

Photocurrent Measurem entof Si_(1-x)Ge_x/Si Multiple Quantum Wells With Ion Im plantationand Therm al Annealing

于2010-11-23批量导入

ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟

用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积(ECR Plasma CVD)镀膜工艺建立了一个介质膜折射率n关于气流配比Q(N_2)/Q(SiH_4)和Q(Q_2)/Q(SiH_4)的数学模型。在给定气流配比Q(N_2)/Q(SiH_4)和Q(O_2)/Q(SiH_4)时模型预测的成膜折射率与实验值符合得很好。

生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响

研究不同生长温度下的InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长，用光致发光和X射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性，得到了室温脉冲激射1.3μm AlGaInAs有源区SCH-MQW结构材料，为器件制作研究打下了基础。