Surface Morphology and Photoluminescence of 1.3 μm Wavelength In(Ga)As/GaAs Quantum Dots

Self-organized In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs quantum island structure emitting at 1. 35 (im at room temperature has been successfully fabricated by molecular beam epitaxy (MBE) via cycled (InAs)_1/( GaAs)_1 monolayer deposition method. Photoluminescence (PL) measurement shows that very narrow PL linewidth of 19.2 meV at 300 K has been reached for the first time, indicating effective suppression of inhomogeneous broadening of optical emission from the In_(0.5)Ga_(0.5)As islands structure. Our results provide important information for optimizing the epitaxial structures of 1.3 μm wavelength quantum dot (QD) devices.

掺杂和热处理对纳ZnO薄膜气敏特性影响

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片上制备纯Zn和掺杂Zn薄膜，然后在高于450 ℃条件下进行氧化、热处理（玻璃衬底）获得良好的纳米ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜。对单晶硅衬底上制备的纯Zn薄膜在高于800 ℃温度条件下进行液态源掺杂，获得掺B和P纳米ZnO薄膜。实验表明，掺杂和热处理使纳米ZnO薄膜的结构、导电性能得到改善，有效地降低了纳米ZnO薄膜的电阻，同时薄膜的气敏特性也得到较大的改善。

(Ga, Mn, As)/GaAs的发光谱

利用低能双离子束外延技术，在400 ℃条件下生长样品（Ga, Mn, As）/GaAs。样品光致发光谱出现三个峰，即1.5042eV处的GaAs激子峰、1.4875eV处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带。宽发光带的中心位置在1.35eV附近，半宽约0.1eV在840 ℃条件下对样品进行退火处理，退火后的谱结构类似退火前，但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至1.5066eV和1.4894eV，同时低能侧的宽发光带的强度大大增加。这一宽发射的来源还不清楚，原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带，生成Mn_2As新相，Mn占Ga位或形成GaMnAs合金。

离子束外延生长（Ga,Mn,As）化合物

国家攀登计划,国家973计划

ZnO:Tb纳米晶的协同发光现象

用光致发光的方法研究了掺铽的ZnO纳米晶这种新型掺杂纳米晶体系，观察到了其中的协同发光现象，指出ZnO纳米基质与掺入其中的铽中心之间存在有效的能量传递。该能量传递对稀土铽离子的特征发光起决定性的作用。

GaN蓝光材料新型ZnO/Si外延衬底的溅射沉积

采用常规磁控溅射方法，通过优化工艺，在Si(100),Si(111)多种基片上沉积ZnO薄膜。利用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和X射线摇摆曲线(XRC)，对ZnO薄膜的微区形貌、结晶情况、C轴择优取向进行了详细的测试分析。结果表明，所制备的ZnO薄膜具有理想的结构特性，大多数样品测得ZnO(002)晶面XRC的半高宽(FWHM)1°左右，最小值达0.353°，优于目前国内外同类研究的最佳结果2°。并对ZnO/Si(100)与ZnO/Si(111)衬底的结果进行了比较和讨论。

在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性

室温下在p-Si(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了带边发射，其强度与晶体质量有关。

多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构

在玻璃基底踌地基底上用反应式直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜。用AES和XRD对薄膜结构和组分进行测试，结果表明，五种基底上生长的ZnO薄膜在不同程度上都具有优良的纵向均匀性、明显的c轴择优取和向较高的结晶度，而硅基底上薄膜的结构普遍优于玻璃基底上沉积薄膜。

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究

利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析。用该法可生长出正化学比的ZnO，不过生长的ZnO薄膜存在孔隙，工艺还有待进一步改进。

ZnO∶Tb纳米晶的制备、结构与发光性质

于2010-11-23批量导入

离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响（英文）

研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱的影响。研究表明离子损伤是影响GaNAs和GaInNAs量子阱质量的关键因素。去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子。对于使用去离子磁场生长的GaNAs和GaInNAs量子阱样品，X射线衍射测量和PL谱测量都表明样品的质量被显著地提高。GaInAs量子阱的PL强度已经提高到可以和同样条件下生长的GaInAs量子阱相比较，研究也表明使用的磁场强度越强，样品的光学质量提高越明显。

Effects of Growth Conditions on Optical Properties ofGa In NAs/Ga As Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy

中科院基金,国家自然科学基金,国家攀登计划

大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器

利用分子束外延技术和S-K生长模式，系统研究了InAs/GaAs材料体系应变自组装量子点的形成和演化。研制出激射波长λ≈960nm,条宽100μnm,腔长800μm的In(Ga)As/GaAs量子点激光器

Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grownon Ga As by Molecular Beam Epitaxy

集成光电子学国家重点实验室基金,国家863计划,国家自然科学基金,中科院项目