多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构


Autoria(s): 贺洪波; 范正修; 姚振钰
Data(s)

1999

Resumo

在玻璃基底踌地基底上用反应式直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜。用AES和XRD对薄膜结构和组分进行测试,结果表明,五种基底上生长的ZnO薄膜在不同程度上都具有优良的纵向均匀性、明显的c轴择优取和向较高的结晶度,而硅基底上薄膜的结构普遍优于玻璃基底上沉积薄膜。

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18455

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103865

Idioma(s)

中文

Fonte

贺洪波;范正修;姚振钰.多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构,功能材料与器件学报,1999,5(1):66

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文