大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器
| Data(s) |
2000
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|---|---|
| Resumo |
利用分子束外延技术和S-K生长模式，系统研究了InAs/GaAs材料体系应变自组装量子点的形成和演化。研制出激射波长λ≈960nm,条宽100μnm,腔长800μm的In(Ga)As/GaAs量子点激光器 利用分子束外延技术和S-K生长模式，系统研究了InAs/GaAs材料体系应变自组装量子点的形成和演化。研制出激射波长λ≈960nm,条宽100μnm,腔长800μm的In(Ga)As/GaAs量子点激光器 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:42导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5431.pdf: 266548 bytes, checksum: f1820278244577efbf5206db732d7a0e (MD5) Previous issue date: 2000 国家自然科学基金,国家863计划 中科院半导体所 国家自然科学基金,国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王占国;刘峰奇;梁基本;徐波;丁鼎;龚谦;韩勤.大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器,半导体学报,2000,21(8):827 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
