(Ga, Mn, As)/GaAs的发光谱
| Data(s) |
2002
|
|---|---|
| Resumo |
利用低能双离子束外延技术，在400 ℃条件下生长样品（Ga, Mn, As）/GaAs。样品光致发光谱出现三个峰，即1.5042eV处的GaAs激子峰、1.4875eV处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带。宽发光带的中心位置在1.35eV附近，半宽约0.1eV在840 ℃条件下对样品进行退火处理，退火后的谱结构类似退火前，但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至1.5066eV和1.4894eV，同时低能侧的宽发光带的强度大大增加。这一宽发射的来源还不清楚，原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带，生成Mn_2As新相，Mn占Ga位或形成GaMnAs合金。 利用低能双离子束外延技术，在400 ℃条件下生长样品（Ga, Mn, As）/GaAs。样品光致发光谱出现三个峰，即1.5042eV处的GaAs激子峰、1.4875eV处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带。宽发光带的中心位置在1.35eV附近，半宽约0.1eV在840 ℃条件下对样品进行退火处理，退火后的谱结构类似退火前，但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至1.5066eV和1.4894eV，同时低能侧的宽发光带的强度大大增加。这一宽发射的来源还不清楚，原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带，生成Mn_2As新相，Mn占Ga位或形成GaMnAs合金。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:30导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5109.pdf: 208082 bytes, checksum: 608e60111b82f0bb66f531ae91f4f227 (MD5) Previous issue date: 2002 国家重点基础研究专项经费（G2 683）,攀登计划（PAN95－YU－34）基金资助项目 中国科学院半导体研究所 国家重点基础研究专项经费（G2 683）,攀登计划（PAN95－YU－34）基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杨君玲;陈诺夫;叶小玲;何宏家.(Ga, Mn, As)/GaAs的发光谱,半导体学报,2002,23(1):26-29 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
