ZnO∶Tb纳米晶的制备、结构与发光性质


Autoria(s): 刘舒曼; 刘峰奇; 郭海清; 张志华; 王占国
Data(s)

2001

Resumo

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:10:32导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5398.pdf: 270882 bytes, checksum: 5179daeb434cd039126aa58919cff5e8 (MD5) Previous issue date: 2001

国家自然科学基金

中科院半导体所;北京大学化学与分子工程学院

国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18701

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103988

Idioma(s)

中文

Fonte

刘舒曼;刘峰奇;郭海清;张志华;王占国.ZnO∶Tb纳米晶的制备、结构与发光性质,半导体学报,2001,22(4):418

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文