离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响（英文）
| Data(s) |
2001
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| Resumo |
研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱的影响。研究表明离子损伤是影响GaNAs和GaInNAs量子阱质量的关键因素。去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子。对于使用去离子磁场生长的GaNAs和GaInNAs量子阱样品，X射线衍射测量和PL谱测量都表明样品的质量被显著地提高。GaInAs量子阱的PL强度已经提高到可以和同样条件下生长的GaInAs量子阱相比较，研究也表明使用的磁场强度越强，样品的光学质量提高越明显。 研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱的影响。研究表明离子损伤是影响GaNAs和GaInNAs量子阱质量的关键因素。去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子。对于使用去离子磁场生长的GaNAs和GaInNAs量子阱样品，X射线衍射测量和PL谱测量都表明样品的质量被显著地提高。GaInAs量子阱的PL强度已经提高到可以和同样条件下生长的GaInAs量子阱相比较，研究也表明使用的磁场强度越强，样品的光学质量提高越明显。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:37导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5414.pdf: 284029 bytes, checksum: b1a51076eac503b4241a51eeaab619cc (MD5) Previous issue date: 2001 国家攀登计划,国家自然科学基金 中科院半导体所 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李联合;潘钟;张伟;林耀望;王学宇;吴荣汉.离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响（英文）,半导体学报,2001,22(1):31 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
