低压金属有机化合物气相外延生长的 （Al_x Ga_（1-x））_（0 .5 1）In_（0 .49）P���射率测量（英文）

采用测量反射谱方法确定了低压金属有机化合物气相外延生长的GaAs衬底匹配(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P���延材料的折射率。实验中测量的反射谱波长范围为05-2.5μm。在拟合实验数据过程中采用了单振子模型。折射率数据用于分析应变量子阱GaInP/AlGaInP���见光激光二极管波导，计算出的器件远场图与实验数据吻合很好。

Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method

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δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移

该文报告了在δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移，它不同于在GaAs和GeSi超晶格中观察到的结果。这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释。基于有效质量近似，计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化，理论结果证实了实验结果的正确性。

Pt-Ni/p-InP���阻欧姆接触的机理研究

利用X射线衍射和AES(俄歇)方法，深入地研究了RF磁探溅射淀积的Pt-Ni/p-InP(100)非合金膜系在热退火过程中Pt和Ni与衬底InP���的In和P���成稳定化合物的行为，揭示了比接触电阻降低于3×10~(-6)Ω·cm~2的根本原因。

In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs 材料系中有序结构的研究

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In_xGa_(1-x)As/InP���变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

国家863计划

Zn扩散工艺在降低VCSEL p���DBR串联电阻中的应用

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有序Ga（0.5）In（0.5）P���致发光的研究

国家自然科学基金

MOCVD和GSMBE生长Ga（0.5）In（0.5）P 外延层中有序结构的研究

用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)B GaAs上生长了GaInP���延层.PL测试表明,(100)衬底上GaIn PL 峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(M(CVD生长).用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GaInP���有序度的不同进行了解释.并讨论了衬底晶向对GaInP���有序程度的影响.

自发有序Ga（0.5）In（0.5）P���金的静压光致发光研究

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自发有序Ga（0.5）In（0.5）P���金的喇曼光谱研究

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p���Si（1-x）Gex应变层中重掺杂禁带窄变的计算

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