p型Si(1-x)Gex应变层中重掺杂禁带窄变的计算


Autoria(s): 吴文刚; 张万荣; 江德生; 罗晋生
Data(s)

1996

Resumo

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中科院半导体所;西安交通大学电子工程系

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19723

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104499

Idioma(s)

中文

Fonte

吴文刚;张万荣;江德生;罗晋生.p型Si(1-x)Gex应变层中重掺杂禁带窄变的计算,电子科学学刊,1996,18(6):638

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文