优质应变Si_(1-x)Ge_x/Si超晶格的气源分子束处延

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优化生长的In_xGa_(1-x)As缓冲层上双势垒In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-z)As多量子阱应变状态测量

一种多步生长方法应用于GaAs衬底上的In_xGa_(1-x)As缓冲层的MOCVD生长.在这种In_xGa_(1-x)As缓冲层上生长的In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-x)As双垫垒量子阱材料表现出了很好的晶格特性和光学性质.超晶格的室温光伏谱中出现很强的22H高阶机制吸收峰,表明超晶格界面质量很好.主要应用X射线双晶衍射方法,给出了样品中各层的应变状态.据此,合理地解释了样品的光学测试结果.

应变Si（1-x）Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

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In_xGa_(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

国家863计划

MBE生长应变Si（1-x）Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算

根据MBE实际生长条件，采用在应变Si_(1-x)Ge_x/Si MQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数，用生长过程的移动边界条件，求解了Ge在Si_(1-x)Ge_x/Si MQW中的扩散方程，模拟出了MQW的畸变，指出了这种畸变具有固定的不对称性，并分析了不同生长温度、应变及阱宽情况下MQW畸变。

n-Hg（1-x）CdxTe中复合中心

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As＋注入Si（1-x）Gex的快速退火行为

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新型结构的1.3μm GexSi（1-x）/Si MQW 波导探测器的优化设计

首次提出了一种新型的环形1.3μm Ge_xSi_(1-x)/Si波导探测器结构.器件的主体由3μm宽环形波导构成.器件的输入端是8μm宽的波导.这两部分通过劈形波导过渡连接.各部分经过优化设计,可以同时实现高的耦合效率和高内量子效率.对于器件的材料结构、电学和光学特性进行了仔细的分析与设计.结果表明,优化设计的器件其外量子效率可达28%,比已经报道的直波导探测器的外量子效率提高2～3倍.而上升下降时间仍然保持在110ps左右.

InxGa（1-x）As缓冲层上InyGa（1-y）As/（Al）GaA超晶格的光伏谱研究

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p型Si（1-x）Gex应变层中重掺杂禁带窄变的计算

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