As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为


Autoria(s): 邹吕凡; 王占国; 孙殿照; 何沙; 范缇文; 刘学锋; 张靖巍
Data(s)

1996

Resumo

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国家自然科学基金

中科院半导体所;中南民族学院电子工程系

国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19639

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104457

Idioma(s)

中文

Fonte

邹吕凡;王占国;孙殿照;何沙;范缇文;刘学锋;张靖巍.As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为,半导体学报,1996,17(9):717

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文