In_xGa_(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

国家863计划

MBE生长应变Si（1-x）Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算

根据MBE实际生长条件，采用在应变Si_(1-x)Ge_x/Si MQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数，用生长过程的移动边界条件，求解了Ge在Si_(1-x)Ge_x/Si MQW中的扩散方程，模拟出了MQW的畸变，指出了这种畸变具有固定的不对称性，并分析了不同生长温度、应变及阱宽情况下MQW畸变。

n-Hg（1-x）CdxTe中复合中心

于2010-11-23批量导入

As＋注入Si（1-x）Gex的快速退火行为

于2010-11-23批量导入

新型结构的1.3μm GexSi（1-x）/Si MQW 波导探测器的优化设计

首次提出了一种新型的环形1.3μm Ge_xSi_(1-x)/Si波导探测器结构.器件的主体由3μm宽环形波导构成.器件的输入端是8μm宽的波导.这两部分通过劈形波导过渡连接.各部分经过优化设计,可以同时实现高的耦合效率和高内量子效率.对于器件的材料结构、电学和光学特性进行了仔细的分析与设计.结果表明,优化设计的器件其外量子效率可达28%,比已经报道的直波导探测器的外量子效率提高2～3倍.而上升下降时间仍然保持在110ps左右.

InxGa（1-x）As缓冲层上InyGa（1-y）As/（Al）GaA超晶格的光伏谱研究

于2010-11-23批量导入

p型Si（1-x）Gex应变层中重掺杂禁带窄变的计算

于2010-11-23批量导入

AlxGa（1-x）As/GaAs太阳电池减反射膜的研究

于2010-11-23批量导入

GaAs-AlxGa（1-x）As异质结构界面光激发过剩电子的热辅助隧穿俘获

于2010-11-23批量导入

MOCVD生长的II-VI族化合物固溶体组分的热力学分析.2.Hg（1-x）CdxTe体系

对MOCVD生长Hg_(1-x)Cd_xTe进行了热力学分析.所用的起始原材料为Hg、DM-Cd和R_2Te.计算结果一方面表明CdTe优先并入倾向使得在通常的DAG工艺中x值非常不易控制.另一方表明即使在Hg存在的情况下,也可以沉积几平纯的CdTe,这对实现IMP工艺非常有利,计算结果还表明II/VI比对HgCdTe的组分控制起着关键性的作用.在DAG工艺中,较低的II/VI比可以改善对x值的控制能力,LMP-DAG工艺是降低II/VI比的较好途径.还计算了生长温度和反应室压力对固相组分的影响以及LMP-DAG工艺中生长温度与HgCdTe组分对最低汞分压的影响.

高电子迁移率GaAs/AlxGa（1-x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究

采用三角阱近似,考虑了GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气(2DEG)异质结中七种主要的散射机制,计算了2DEG电子迁移率与隔离层厚度(d)和Al组分(x)的关系,对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结的结构参数进行了优化分析。就作者所知,该文首次计算了2DEG电子迁移率与Al组分x的关系,得到了与实验规律一致的结果。