MOCVD生长的II-VI族化合物固溶体组分的热力学分析.2.Hg（1-x）CdxTe体系
| Data(s) |
1995
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| Resumo |
对MOCVD生长Hg_(1-x)Cd_xTe进行了热力学分析.所用的起始原材料为Hg、DM-Cd和R_2Te.计算结果一方面表明CdTe优先并入倾向使得在通常的DAG工艺中x值非常不易控制.另一方表明即使在Hg存在的情况下,也可以沉积几平纯的CdTe,这对实现IMP工艺非常有利,计算结果还表明II/VI比对HgCdTe的组分控制起着关键性的作用.在DAG工艺中,较低的II/VI比可以改善对x值的控制能力,LMP-DAG工艺是降低II/VI比的较好途径.还计算了生长温度和反应室压力对固相组分的影响以及LMP-DAG工艺中生长温度与HgCdTe组分对最低汞分压的影响. 对MOCVD生长Hg_(1-x)Cd_xTe进行了热力学分析.所用的起始原材料为Hg、DM-Cd和R_2Te.计算结果一方面表明CdTe优先并入倾向使得在通常的DAG工艺中x值非常不易控制.另一方表明即使在Hg存在的情况下,也可以沉积几平纯的CdTe,这对实现IMP工艺非常有利,计算结果还表明II/VI比对HgCdTe的组分控制起着关键性的作用.在DAG工艺中,较低的II/VI比可以改善对x值的控制能力,LMP-DAG工艺是降低II/VI比的较好途径.还计算了生长温度和反应室压力对固相组分的影响以及LMP-DAG工艺中生长温度与HgCdTe组分对最低汞分压的影响. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:19导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6015.pdf: 485353 bytes, checksum: 24646348c8bcbfb0509cf74e3342ba2e (MD5) Previous issue date: 1995 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陆大成;段树坤.MOCVD生长的II-VI族化合物固溶体组分的热力学分析.2.Hg（1-x）CdxTe体系,半导体学报,1995,16(6):413 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
