高电子迁移率GaAs/AlxGa（1-x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究
| Data(s) |
1995
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|---|---|
| Resumo |
采用三角阱近似,考虑了GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气(2DEG)异质结中七种主要的散射机制,计算了2DEG电子迁移率与隔离层厚度(d)和Al组分(x)的关系,对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结的结构参数进行了优化分析。就作者所知,该文首次计算了2DEG电子迁移率与Al组分x的关系,得到了与实验规律一致的结果。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
英语 |
| Fonte |
杨斌;王占国;陈涌海;梁基本;廖奇为;林兰英;朱战萍;徐波;李伟.高电子迁移率GaAs/AlxGa（1-x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究,半导体学报,1995,16(9):706 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
