黄土结皮的发育机理与侵蚀效应研究

了解土壤结皮的发育特征及其对侵蚀的影响作用,是认识土壤侵蚀机理、建立精准侵蚀预报模型的重要理论支持之一。本文通过模拟降雨试验,探讨有无雨滴打击作用下黄土结皮的发育过程以及前期有无结皮时结皮侵蚀效应的动态特征。结果表明:(1)随降雨的进行,黄土结皮发生层容重、抗剪强度(含水率为20%)不断增加,30min内形成厚度约3～4mm稳定结皮层;(2)消除雨滴打击后,黄土结皮发育过程同有雨滴打击时类似,但程度减弱。雨滴打击同湿润作用对黄土结皮形成的贡献作用基本相当;(3)降雨初期有、无结皮处理抗剪强度差别大,随后急剧下降并趋同,因而黄土结皮影响抗蚀性的作用微弱,累积溅蚀量的差异主要由溅蚀起始时间的变化引起;(4)黄土结皮的存在明显的减少入渗、增加径流,但结皮效应随降雨进行逐渐消失。溅蚀效应的函数表达式为C=0.6670ln(t)-3.2459,结合溅蚀量的计算式,可较为准确地预测前期无结皮时某降雨历时的累积溅蚀量。

广东徐闻县西部沿岸海域的珊瑚虫纲物种

广东省徐闻县西部沿岸海域分布着珊瑚礁，现生珊瑚虫纲物种较丰富，本文将2004年调查研究的结果，结合文

MATRIX DESCRIPTION OF DYNAMIC HOLZ DIFFRACTION TESTED ON THE STRAINED LAYER SUPERLATTICE SI/GESI

A matrix formulation has been developed and applied to simulate large-angle convergent-beam electron diffraction (LACBED) patterns from the Si/GexSi1-x strained layer superlattice (SLS). Good quantitative agreement has been achieved between experimental and simulated patterns. By utilizing dynamical HOLZ line patterns, we demonstrate that an accuracy of better than 0.1% can be achieved in the determination of the averaged lattice constant of a SLS, and the averaged number of layers of atoms within one period of SLS can be determined up to a single monolayer.

以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜

采用化学气相沉积（CVD）方法在Si（001）衬底上分别制备了有金属Au缓冲层以及无Au缓冲层的ZnO薄膜。其中Au缓冲层在物理气相沉积（PVD）设备中蒸发，厚度大约为300nm。有Au缓冲层的ZnO薄膜晶体质量比直接在Si衬底上生长有了显著提高。利用X射线衍射（XRD）研究了所生长ZnO薄膜的结晶质量，有Au缓冲层的ZnO薄膜虽然仍为多晶，但显示出明显的择优取向。用光学显微镜研究了ZnO薄膜的表面特征，金属Au缓冲层显著地提高了在Si衬底上生长的ZnO薄膜的晶粒尺寸及平整度。同时利用室温光致发光（PL）谱研究了ZnO薄膜的光学性质，并分析了有Au缓冲层的ZnO薄膜NEB发光峰强度反而弱的可能原因。

Si基外延GaN的结构和力学性能

采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入层可以进一步降低位错密度,提高晶体质量.膜的表面有许多颗粒状的发光中心,除了强的带边峰外,还有弱的黄光带和红光带,这可能是ON与VGa所产生的深能级跃迁产生的.GaN的晶体质量具有梯度变化,GaN外延层的上层晶体质量比较好,界面附近比较差,但是外延层与衬底的结合强度较高,临界载荷达到2.05 N.

GaN基肖特基结构紫外探测器

在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线.该紫外探测器在5V偏压时暗电流为0.42nA,在10V偏压时暗电流为38.5nA.在零偏压下,该紫外探测器在250nm～365nm的波长范围内有较高的响应度,峰值响应度在363nm波长处达到0.12A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边;当波长超过紫外探测器的截止波长(365nm左右),探测器的响应度减小了三个数量级以上.该紫外探测器的响应时间小于2μs.

半导体物理效应与光电子高技术产业

阐述了能带理论和晶格动力学的创建对半导体科学技术发展的历史意义，重点介绍了若干关键性半导体物理效应的内涵及其对光电子器件与技术发展所作出的源头性贡献，描绘了以半导体激光器为代表的现代光电子高科技产业的发展现状与趋势，指出了光电子高科技持续发展的主要方向。

RCE光电探测器顶部 DBR的优化（英文）

对研制的VCSEL结构外延片制成的谐振腔增强型(简称RCE)光电探测器进行了物理分析和实验研究，由于VCSEL与RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同，通过腐蚀VCSEL器件顶部DBR，改变顶镜反射率，能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的RCE光电探测器，实现VCSEL与RCE探测器的单片集成。

在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化

采用特殊设计的阶梯型量子阱结构研究了在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化。在77K低温下,从稳态光荧光谱(PL谱)上直接观察到了这种转化所导致的光谱激子峰的蓝移。

GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究

于2010-11-23批量导入

An analysis of the performance of a new high-speed single-way analog switch

This paper introduces a new highspeed single-way analog switch which has both highspeed high-resolution mono-direction analog transmission gate function and high-speed digital logic gate function with normal bipolar technology. The analysis of static and transient switching performances as an analog transmission gate is emphasized in the paper. In order to reduce the plug-in effect on high-speed high-resolution systems, an optimum design scheme is also given. This scheme is to achieve accelerated dynamic response with very low bias power dissipation. The analysis of PSPICE simulation as well as the circuit test results confirms the feasibility of the scheme. Now, the circuit has been applied effectively to the designs of novel highspeed A/D and D/A converters.