GaN基肖特基结构紫外探测器


Autoria(s): 王俊; 赵德刚; 刘宗顺; 伍墨; 金瑞琴; 李娜; 段俐宏; 张书明; 朱建军; 杨辉
Data(s)

2004

Resumo

在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线.该紫外探测器在5V偏压时暗电流为0.42nA,在10V偏压时暗电流为38.5nA.在零偏压下,该紫外探测器在250nm~365nm的波长范围内有较高的响应度,峰值响应度在363nm波长处达到0.12A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边;当波长超过紫外探测器的截止波长(365nm左右),探测器的响应度减小了三个数量级以上.该紫外探测器的响应时间小于2μs.

在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线.该紫外探测器在5V偏压时暗电流为0.42nA,在10V偏压时暗电流为38.5nA.在零偏压下,该紫外探测器在250nm~365nm的波长范围内有较高的响应度,峰值响应度在363nm波长处达到0.12A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边;当波长超过紫外探测器的截止波长(365nm左右),探测器的响应度减小了三个数量级以上.该紫外探测器的响应时间小于2μs.

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国家高技术研究发展计划资助项目

中国科学院半导体研究所

国家高技术研究发展计划资助项目

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17367

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103321

Idioma(s)

中文

Fonte

王俊;赵德刚;刘宗顺;伍墨;金瑞琴;李娜;段俐宏;张书明;朱建军;杨辉.GaN基肖特基结构紫外探测器,半导体学报,2004,25(6):711-714

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文