GaN基肖特基结构紫外探测器
Data(s) |
2004
|
---|---|
Resumo |
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线.该紫外探测器在5V偏压时暗电流为0.42nA,在10V偏压时暗电流为38.5nA.在零偏压下,该紫外探测器在250nm~365nm的波长范围内有较高的响应度,峰值响应度在363nm波长处达到0.12A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边;当波长超过紫外探测器的截止波长(365nm左右),探测器的响应度减小了三个数量级以上.该紫外探测器的响应时间小于2μs. 在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线.该紫外探测器在5V偏压时暗电流为0.42nA,在10V偏压时暗电流为38.5nA.在零偏压下,该紫外探测器在250nm~365nm的波长范围内有较高的响应度,峰值响应度在363nm波长处达到0.12A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边;当波长超过紫外探测器的截止波长(365nm左右),探测器的响应度减小了三个数量级以上.该紫外探测器的响应时间小于2μs. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:04导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4700.pdf: 192253 bytes, checksum: b1e0457ad0fef42f325d54c26667115d (MD5) Previous issue date: 2004 国家高技术研究发展计划资助项目 中国科学院半导体研究所 国家高技术研究发展计划资助项目 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
王俊;赵德刚;刘宗顺;伍墨;金瑞琴;李娜;段俐宏;张书明;朱建军;杨辉.GaN基肖特基结构紫外探测器,半导体学报,2004,25(6):711-714 |
Palavras-Chave | #光电子学 |
Tipo |
期刊论文 |