RCE光电探测器顶部 DBR的优化（英文）
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
对研制的VCSEL结构外延片制成的谐振腔增强型(简称RCE)光电探测器进行了物理分析和实验研究，由于VCSEL与RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同，通过腐蚀VCSEL器件顶部DBR，改变顶镜反射率，能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的RCE光电探测器，实现VCSEL与RCE探测器的单片集成。 对研制的VCSEL结构外延片制成的谐振腔增强型(简称RCE)光电探测器进行了物理分析和实验研究，由于VCSEL与RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同，通过腐蚀VCSEL器件顶部DBR，改变顶镜反射率，能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的RCE光电探测器，实现VCSEL与RCE探测器的单片集成。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:32导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5399.pdf: 215232 bytes, checksum: d9ae76ade3692a1f561999ae3599ec0b (MD5) Previous issue date: 2001 国家863计划,国家自然科学基金 中科院半导体所 国家863计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
梁琨;陈弘达;邓晖;杜云;唐君;吴荣汉.RCE光电探测器顶部 DBR的优化（英文）,半导体学报,2001,22(4):409 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
