在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化
Data(s) |
1995
|
---|---|
Resumo |
采用特殊设计的阶梯型量子阱结构研究了在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化。在77K低温下,从稳态光荧光谱(PL谱)上直接观察到了这种转化所导致的光谱激子峰的蓝移。 采用特殊设计的阶梯型量子阱结构研究了在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化。在77K低温下,从稳态光荧光谱(PL谱)上直接观察到了这种转化所导致的光谱激子峰的蓝移。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:28导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6043.pdf: 118545 bytes, checksum: 7dc1c22b02f0f61c46845058b701cf96 (MD5) Previous issue date: 1995 国家攀登计划 中科院半导体所 国家攀登计划 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
罗克俭;郑厚植;李承芳;徐士杰;张鹏华;张伟;杨小平.在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化,半导体学报,1995,16(9):711 |
Palavras-Chave | #半导体物理 |
Tipo |
期刊论文 |