Si基外延GaN的结构和力学性能
| Data(s) |
2007
|
|---|---|
| Resumo |
采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入层可以进一步降低位错密度,提高晶体质量.膜的表面有许多颗粒状的发光中心,除了强的带边峰外,还有弱的黄光带和红光带,这可能是ON与VGa所产生的深能级跃迁产生的.GaN的晶体质量具有梯度变化,GaN外延层的上层晶体质量比较好,界面附近比较差,但是外延层与衬底的结合强度较高,临界载荷达到2.05 N. 采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入层可以进一步降低位错密度,提高晶体质量.膜的表面有许多颗粒状的发光中心,除了强的带边峰外,还有弱的黄光带和红光带,这可能是ON与VGa所产生的深能级跃迁产生的.GaN的晶体质量具有梯度变化,GaN外延层的上层晶体质量比较好,界面附近比较差,但是外延层与衬底的结合强度较高,临界载荷达到2.05 N. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:01:35导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4014.pdf: 920060 bytes, checksum: 3a701d0a02f47d5d7398fb192fda77a6 (MD5) Previous issue date: 2007 国家八六三高技术2 6AA 3A111资助项目 中科院半导体研究所 国家八六三高技术2 6AA 3A111资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
魏同波;王军喜;刘喆;李晋闽.Si基外延GaN的结构和力学性能,材料研究学报,2007,21(4):409-413 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
