GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究
| Data(s) |
1994
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|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:44导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6091.pdf: 188224 bytes, checksum: 3165e518d1c1d6262789ee9012b307b2 (MD5) Previous issue date: 1994 中科院半导体所;芬兰图尔库大学 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王杏华;郑厚植;李承芳;刘剑;杨小平;余琦;Reino Laiho.GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究,半导体学报,1994,15(10):711 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
