AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响

结合垂直腔面发射激光器的制备，详细研究了AlAs选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响，给出了合理的定性解释，并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件。在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出低阈值的InGaAs垂直腔面发射激光器。

GaAs／AlAs超晶格纵向电流与阱间偏压的动态关系

于2010-11-23批量导入

低温和高压条件对GaAs/AlAs弱耦合超晶格电场畴形成的影响

于2010-11-23批量导入

GaAs/AlAs脊形量子线的光学研究

利用分子束外延技术，在GaAs两个(113)晶面的脊形交接处制备了量子线。在低温PL谱上，观测到量子线的发光峰。通过微区、变温和偏振的发光测量，证实了量子限制效就和一维量子线在上述结构中的存在。

GaAs/AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡

在GaAs/AlAs(10nm/2n,)弱耦合掺杂超晶格I-V曲线的第一个平台上，首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡。观测到的最高振荡频率可达142MHz。这种由级联隧穿引起的振荡在测试温度范围14～300K内始终存在。经 分析发现，由于垒怪公有2nm,电子隧穿通过垒层的几率很高，相比之下，电子越过势垒而产生的热离子发射电流要小得多。在温度低于300K时，超晶格内的纵向输运机制是级联共振隧穿和声子辅助隧穿。这是室温仍然能观测到自维持振荡的主要原因，由于实现振荡所施加的偏压比较低(在室温下偏压范围大约为0.5～2V),有利于抑制室温下通过X谷的热离子发射电流。

磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合

报道了非对称GaAs/AlAs双势垒结构(DBS)中的Γ-X-Γ磁隧穿振荡现象,用磁场倒数周 期求得AlAs层中X谷和GaAs层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好.良好的 振荡特性可作为定量研究Γ-X耦合强度的灵敏的实验办法.

GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究

国家自然科学基金

（GaAs/AlAs）n短周期超晶格类型及其转变的光伏研究

于2010-11-23批量导入

GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应研究

首次报道(311)面上生长的GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应。在这种结构中,波纹异质结界面的缺陷,包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级,因此低温下其发光能量相对于(100)样品发生明显的红移。在Ⅱ类超晶格中,局域化能级成为X能谷电子向Γ能谷输运的通道,从而加强了X-Γ电子态混合,使实验观察到的X跃迁表现出Γ跃迁的某些性质。

GaAs/AlAs超晶格Г-X级联隧穿电致的电场畴

研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Г能谷的基态(E_(Г1))和第一激发态(E_(Г_2))能级之间。实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Г-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的。在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的X能谷弛豫到下一个GaAs量子阱的Г能谷的基态。

I类-II类混合GaAs/AlAs量子阱中自由载流子散射导致的激子展宽

在I类-II类混合GaAs/AlAs非对称量子阱结构的样品上,在较低的激发光强下在宽阱中获得了较高密度的光生电子积累,利用光致发光方法详细地研究了自由载流子散射对激子展宽的贡献,发现低温下随载流子密度的增加,载流子散射导致的激子展宽随之增加,在一定激发光强下光荧光谱上出现77K激子线宽大于室温激子线宽的现象.根据载流子对激子态的散射理论进行了计算,发现实验结果和理论预言符合得很好.

短周期GaAS/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验

制备了M=2,4,6和10的一系列短周期(GaAs)_M/(AlAs)_M超晶格样品并测量了其椭偏光谱。对这些样品的光频介电函数谱进行了分析,并与夏建白等的理论计算结果作了直接比较。上述理论计算是对M=4,6和10的超晶格样品作出的,并给出相应的介电函数谱曲线。在光子能量3.5～4.5eV范围的E_1峰与E_1峰附近的实验谱的主要特征,与理论计算结果相一致。实验谱中的E_1峰比理论谱要强些,不同M值的超晶格样品之间的E_1峰之差异也大于理论结果。

GaAs/AlAs超晶格的近共振喇曼散射研究

国家自然科学基金,中国科学院基金

用静压光致发光研究GaAs/AlAs超短周期超晶格导带最低能级的特性

于2010-11-23批量导入