AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响
| Data(s) |
1999
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| Resumo |
结合垂直腔面发射激光器的制备，详细研究了AlAs选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响，给出了合理的定性解释，并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件。在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出低阈值的InGaAs垂直腔面发射激光器。 结合垂直腔面发射激光器的制备，详细研究了AlAs选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响，给出了合理的定性解释，并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件。在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出低阈值的InGaAs垂直腔面发射激光器。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:19导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5526.pdf: 210019 bytes, checksum: 2549da0a3d9e34b50c4acb5421ca94cc (MD5) Previous issue date: 1999 国家自然科学基金 中科院半导体所国家光电子工艺中心 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张益;潘钟;杜云;黄永箴;吴荣汉.AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响,半导体学报,1999,20(3):260 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
