GaAs/AlAs超晶格Г-X级联隧穿电致的电场畴


Autoria(s): 张耀辉; 杨小平; 刘伟; 崔丽秋; 江德生
Data(s)

1995

Resumo

研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Г能谷的基态(E_(Г1))和第一激发态(E_(Г_2))能级之间。实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Г-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的。在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的X能谷弛豫到下一个GaAs量子阱的Г能谷的基态。

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19803

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104539

Idioma(s)

中文

Fonte

张耀辉;杨小平;刘伟;崔丽秋;江德生.GaAs/AlAs超晶格Г-X级联隧穿电致的电场畴,半导体学报,1995,16(1):77

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文