磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合
| Data(s) |
1996
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| Resumo |
报道了非对称GaAs/AlAs双势垒结构(DBS)中的Γ-X-Γ磁隧穿振荡现象,用磁场倒数周 期求得AlAs层中X谷和GaAs层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好.良好的 振荡特性可作为定量研究Γ-X耦合强度的灵敏的实验办法. 报道了非对称GaAs/AlAs双势垒结构(DBS)中的Γ-X-Γ磁隧穿振荡现象,用磁场倒数周 期求得AlAs层中X谷和GaAs层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好.良好的 振荡特性可作为定量研究Γ-X耦合强度的灵敏的实验办法. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:27导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5903.pdf: 353307 bytes, checksum: 6a1ae7cceaa05e82cef887db62d4ac79 (MD5) Previous issue date: 1996 国家攀登计划 中科院半导体所 国家攀登计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘剑;李月霞;郑厚植;杨富华;宋爱民;李承芳.磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合,红外与毫米波学报,1996,15(2):113 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
