用静压光致发光研究GaAs/AlAs超短周期超晶格导带最低能级的特性
| Data(s) |
1992
|
|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:15:37导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6225.pdf: 163434 bytes, checksum: 81929c8e725f0d655ec1af51cb82e4f2 (MD5) Previous issue date: 1992 国家自然科学基金 中科院半导体所;Max-planck Institute Fur Festkorperforschung 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李国华;刘振先;韩和相;汪兆平;汪德生;Ploog K.用静压光致发光研究GaAs/AlAs超短周期超晶格导带最低能级的特性,半导体学报,1992,13(5):322 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
