I类-II类混合GaAs/AlAs量子阱中自由载流子散射导致的激子展宽
| Data(s) |
1995
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| Resumo |
在I类-II类混合GaAs/AlAs非对称量子阱结构的样品上,在较低的激发光强下在宽阱中获得了较高密度的光生电子积累,利用光致发光方法详细地研究了自由载流子散射对激子展宽的贡献,发现低温下随载流子密度的增加,载流子散射导致的激子展宽随之增加,在一定激发光强下光荧光谱上出现77K激子线宽大于室温激子线宽的现象.根据载流子对激子态的散射理论进行了计算,发现实验结果和理论预言符合得很好. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘伟;罗克俭;江德生;张耀辉;杨小平.I类-II类混合GaAs/AlAs量子阱中自由载流子散射导致的激子展宽,半导体学报,1995,16(8):623 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
