短周期GaAS/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验

制备了M=2,4,6和10的一系列短周期(GaAs)_M/(AlAs)_M超晶格样品并测量了其椭偏光谱。对这些样品的光频介电函数谱进行了分析,并与夏建白等的理论计算结果作了直接比较。上述理论计算是对M=4,6和10的超晶格样品作出的,并给出相应的介电函数谱曲线。在光子能量3.5～4.5eV范围的E_1峰与E_1峰附近的实验谱的主要特征,与理论计算结果相一致。实验谱中的E_1峰比理论谱要强些,不同M值的超晶格样品之间的E_1峰之差异也大于理论结果。