GaAs/AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡

在GaAs/AlAs(10nm/2n,)弱耦合掺杂超晶格I-V曲线的第一个平台上，首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡。观测到的最高振荡频率可达142MHz。这种由级联隧穿引起的振荡在测试温度范围14～300K内始终存在。经 分析发现，由于垒怪公有2nm,电子隧穿通过垒层的几率很高，相比之下，电子越过势垒而产生的热离子发射电流要小得多。在温度低于300K时，超晶格内的纵向输运机制是级联共振隧穿和声子辅助隧穿。这是室温仍然能观测到自维持振荡的主要原因，由于实现振荡所施加的偏压比较低(在室温下偏压范围大约为0.5～2V),有利于抑制室温下通过X谷的热离子发射电流。