STATE MIXING IN INAS/GAAS QUANTUM DOTS AT THE PRESSURE-INDUCED GAMMA-X CROSSING

于2010-11-17批量导入

1.55μm InGaAsP/InP DH激光器中的0.95μm发光带与Auger复合

于2010-11-23批量导入

飞速发展的半导体激光器

于2010-11-23批量导入

深冷中性铝团簇的产生和光电离

于2010-11-23批量导入

超晶格的瓦尼尔-斯塔克效应

布洛赫振荡和"斯塔克梯"自提出以来一直没有在实验上观察到.半导体超晶格是由交替的势阱材料和势垒材料层组成,在超晶格中可实现布洛赫振荡.介绍了瓦尼尔-斯塔克效应的实验研究.在国内已实现了瓦尼尔-斯塔克效应,并且在应变超晶格中也实现了,并作出 了一些有特色的工作.

超高速门阵列及设计

该文简介了超高速门阵列的概念、应用及国内外发展水平。对其布局及布线方法进行了讨论，并给出了典型的超高速门阵列的单元库。

硅中Rh-B络合物性质的理论研究

于2010-11-23批量导入

铯对GaAs（100）表面氧化的催化作用

于2010-11-23批量导入

Hg（1-x）CdxTe深缺陷能级研究

于2010-11-23批量导入

InxGa（1-x）As/GaAs应变量子阱光学性质

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量子阱中电子隧穿逃逸时间的研究

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氯对硅中4d过渡杂质的钝化

于2010-11-23批量导入

Determination of interstitial oxygen concentration in heavily doped silicon by combination of neutron irradiation and FTIR

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CoSi2薄膜形成过程中的反应机制

于2010-11-23批量导入

Cs/InP（100）界面相互作用性质的研究

于2010-11-23批量导入