铯对GaAs(100)表面氧化的催化作用


Autoria(s): 徐彭寿; 徐世红; 刘先明; 朱警生; 麻茂生; 张裕恒; 许振嘉
Data(s)

1994

Resumo

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:14:35导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6067.pdf: 344847 bytes, checksum: a9d2fc57a34c141e002eb6f15e2a9a7e (MD5) Previous issue date: 1994

国家自然科学基金

中国科学技术大学;中科院半导体所

国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19931

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104603

Idioma(s)

中文

Fonte

徐彭寿;徐世红;刘先明;朱警生;麻茂生;张裕恒;许振嘉.铯对GaAs(100)表面氧化的催化作用,化学物理学报,1994,7(5):455

Palavras-Chave #半导体化学
Tipo

期刊论文