量子阱中电子隧穿逃逸时间的研究


Autoria(s): 张玉民; 郑厚植
Data(s)

1994

Resumo

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中科院半导体所

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19951

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104613

Idioma(s)

中文

Fonte

张玉民;郑厚植.量子阱中电子隧穿逃逸时间的研究,红外与毫米波学报,1994,13(1):69

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文