Hg(1-x)CdxTe深缺陷能级研究


Autoria(s): 周洁; 封松林; 卢励吾; 司承才; 李言谨; 胡晓宁
Data(s)

1994

Resumo

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:14:36导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6070.pdf: 191598 bytes, checksum: bd92329d184d041bfb0829b6063092e7 (MD5) Previous issue date: 1994

中科院半导体所;中国科学院;中科院上海技术物理所

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19937

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104606

Idioma(s)

中文

Fonte

周洁;封松林;卢励吾;司承才;李言谨;胡晓宁.Hg(1-x)CdxTe深缺陷能级研究,红外与毫米波学报,1994,13(5):359

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文