InxGa（1-x）As/GaAs应变量子阱光学性质
| Data(s) |
1994
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:37导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6071.pdf: 184184 bytes, checksum: f33c32abbacdb6ddec2c7c85507ce03c (MD5) Previous issue date: 1994 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李锋;张耀辉;江德生;王佑祥.InxGa（1-x）As/GaAs应变量子阱光学性质,红外与毫米波学报,1994,13(5):340 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
