大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器

利用分子束外延技术和S-K生长模式，系统研究了InAs/GaAs材料体系应变自组装量子点的形成和演化。研制出激射波长λ≈960nm,条宽100μnm,腔长800μm的In(Ga)As/GaAs量子点激光器

Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grownon Ga As by Molecular Beam Epitaxy

集成光电子学国家重点实验室基金,国家863计划,国家自然科学基金,中科院项目

匹配In（0.53）Ga（0.47）As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析

于2010-11-23批量导入

50周期的In（0.3）Ga（0.7）As/GaAs应变超晶格的生长

于2010-11-23批量导入

压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究

于2010-11-23批量导入

（113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究

于2010-11-23批量导入

MOVPE生长Al（0.35）Ga（0.65）As/GaAs量子阱结构的光致发光

于2010-11-23批量导入

有序Ga（0.5）In（0.5）P光致发光的研究

国家自然科学基金

注入Ga离子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究

用注入Ga离子GaAs/AlGaAs量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散,表现在PL光谱中量子陆峰值能量有30～90meV的兰移.发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关.

MOCVD和GSMBE生长Ga（0.5）In（0.5）P 外延层中有序结构的研究

用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)B GaAs上生长了GaInP外延层.PL测试表明,(100)衬底上GaIn PL 峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(M(CVD生长).用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GaInP中有序度的不同进行了解释.并讨论了衬底晶向对GaInP中有序程度的影响.

自发有序Ga（0.5）In（0.5）P合金的静压光致发光研究

于2010-11-23批量导入

自发有序Ga（0.5）In（0.5）P合金的喇曼光谱研究

于2010-11-23批量导入

GaAs/Al（0.3）Ga（0.7）As短周期超晶格中负微分电导效应的观察

于2010-11-23批量导入