MOVPE生长Al（0.35）Ga（0.65）As/GaAs量子阱结构的光致发光
| Data(s) |
1996
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:17导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5879.pdf: 180538 bytes, checksum: 909d64b6befc3162dad71e20e3b2b8b1 (MD5) Previous issue date: 1996 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
英语 |
| Fonte |
董建荣;陆大成;汪度;王晓晖;刘祥林;王占国.MOVPE生长Al（0.35）Ga（0.65）As/GaAs量子阱结构的光致发光,半导体学报,1996,17(4):252 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
