注入Ga离子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
用注入Ga离子GaAs/AlGaAs量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散,表现在PL光谱中量子陆峰值能量有30～90meV的兰移.发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关. 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郑宝真;赛纳;许继宗;张鹏华;杨小平;徐仲英.注入Ga离子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究,红外与毫米波学报,1996,15(6):407 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
