GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性

应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001,GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性.变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别,而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性.最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征.

1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计

从低噪声放大器(LNA)的设计原理出发,提出并设计了一种工作于1GHz的实用LNA.电路采用共源-共栅的单端结构,用HSPICE软件对电路进行分析和优化.模拟过程中选用的器件采用TSMC 0.5μm CMOS工艺实现.模拟结果表明所设计的LNA功耗小于15mW,增益大于10dB,噪声系数为1.87dB,IIP3大于10dBm,输入反射小于-50dB.可用于1GHz频段无线接收机的前端.

16信道0．35μmCMOS／VCSEL光发射模块

研究了垂直腔面发射激光器（VCSEL）及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性，将1×16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装（MCM），混合集成为16信道VCSEL光发射功能模块。测试过程中，功能模块的光电特性及其均匀性良好，测量的-3dB频带芝宽度大于2GHz。

不同组分In_xGa_(1-x)As(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响

研究了不同In组分的In_xGa_(1-x)As(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响。透射电子显微镜和原子力显微表明，InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小，并且x=0.3时，InGaAs在InAs量子点上继续成岛。随x值的增大，量子点的光荧光峰红移，但随温度的变化发光峰峰位变化不明显。理论分析表明InAs量子点所受应力及其均匀性的变化分别是导致上述现象的主要原因。

多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究

测量了自组织多层In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光谱，同时观察到来自浸润层和量子点的发光，首次直接观察了浸润层和量子点之间的载流子热转移。分析发光强度随温度的变化发现浸润发光的热淬灭包括两个过程

In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点的光伏谱温度特性

采用无需在样品上制备电极的电容耦合的光伏谱方法,实验测量了In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点在不同的温度下的光伏谱,对测量谱峰进行了指认,研究了量子点谱峰能量位置随温度的依赖关系。实验结果表明,量子点具有与体材料及二维体系不同的温度特性,对实验所测样品,其激子峰能量随温度增加而红移的速率约为GaAs体材料带隙变化的1.4倍。

In_（0.49）Ga_（0.51）P中缺陷的俘获行为

于2010-11-23批量导入

低压金属有机化合物气相外延生长的 （Al_x Ga_（1-x））_（0 .5 1）In_（0 .49）P折射率测量（英文）

采用测量反射谱方法确定了低压金属有机化合物气相外延生长的GaAs衬底匹配(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P外延材料的折射率。实验中测量的反射谱波长范围为05-2.5μm。在拟合实验数据过程中采用了单振子模型。折射率数据用于分析应变量子阱GaInP/AlGaInP可见光激光二极管波导，计算出的器件远场图与实验数据吻合很好。

不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱

在15K测量了不同尺寸分布的In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压我致发光，静压范围为0--1.3GPa。常压下观察到三个发光峰，分别来源于不同尺寸的量子点(横向直径分别为26、52和62nm)的发光。它产的压力系数分别为82、94和98meV/GPa,都小于In_(0.55)Al_(0.45)As体材料带边的压力系数，特别是尺寸为26nm的小量子点比In_(0.55)Al_(0.45)As体材料带边小17%，并且压力系数随量子点尺寸的变小而减小。理论计算表明有效质量的增在和Γ-X混合是量子点压力系数变小的主要原因，并得到横向直径为26和52nm的小量子点的Γ－X混合势为15和10meV。根据实验还确定In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点系统X能带具有Ⅱ类结构，并且估算出价带不连续量为0.15±0.02。

垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果。测试了它的光电流谱和量子效率。探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段。在1.3μm处量子效率为0.1%。量子效率峰值在0.95μm处达到20%。

温度引起的ZnSe/Zn_（0.84）Mn_（0.16）Se超晶格中势阱层和势垒层的反转

测量了ZnSe，Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金和ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格的10～300K的变温光致发光谱。发现ZnSe的带隙在10K时比Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金的带隙小，而在300K时比合金的带隙大。预计ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中在130K附近会发生势阱层和势垒层的反转。在ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中观测到了这种反转但发生在80K附近。超晶格中Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se层的应变可能是反转温度变低的原因。

赝配GaAs/In_(0.2)Ga_(0.8)As量子阱导带不连续量的C-V和电容瞬态测量

半导体材料开放实验室基金,国家自然科学基金

GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱的平方电光效应和光折变效应的研究

于2010-11-23批量导入

In_(0.28)Ga_(0.72)As/GaAs量子点超晶格的生长

于2010-11-23批量导入