GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性
| Data(s) |
2005
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| Resumo |
应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001,GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性.变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别,而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性.最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征. 国家重点基础研究专项基金,国家自然科学基金,中国科学院纳米科学与技术项目,江苏省自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
罗向东;孙炳华;徐仲英.GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性,物理学报,2005,54(5):2385-2388 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
