In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点的光伏谱温度特性
| Data(s) |
2000
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| Resumo |
采用无需在样品上制备电极的电容耦合的光伏谱方法,实验测量了In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点在不同的温度下的光伏谱,对测量谱峰进行了指认,研究了量子点谱峰能量位置随温度的依赖关系。实验结果表明,量子点具有与体材料及二维体系不同的温度特性,对实验所测样品,其激子峰能量随温度增加而红移的速率约为GaAs体材料带隙变化的1.4倍。 福建省自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
吴正云;陈主荣;黄启圣;姜卫红;卢励吾;王占国.In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点的光伏谱温度特性,光电子·激光,2000,11(4):366 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
