1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计
| Data(s) |
2004
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|---|---|
| Resumo |
从低噪声放大器(LNA)的设计原理出发,提出并设计了一种工作于1GHz的实用LNA.电路采用共源-共栅的单端结构,用HSPICE软件对电路进行分析和优化.模拟过程中选用的器件采用TSMC 0.5μm CMOS工艺实现.模拟结果表明所设计的LNA功耗小于15mW,增益大于10dB,噪声系数为1.87dB,IIP3大于10dBm,输入反射小于-50dB.可用于1GHz频段无线接收机的前端. 从低噪声放大器(LNA)的设计原理出发,提出并设计了一种工作于1GHz的实用LNA.电路采用共源-共栅的单端结构,用HSPICE软件对电路进行分析和优化.模拟过程中选用的器件采用TSMC 0.5μm CMOS工艺实现.模拟结果表明所设计的LNA功耗小于15mW,增益大于10dB,噪声系数为1.87dB,IIP3大于10dBm,输入反射小于-50dB.可用于1GHz频段无线接收机的前端. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:46导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4660.pdf: 316202 bytes, checksum: b4d44d7f422e80653433056b31a41b5c (MD5) Previous issue date: 2004 国家高技术研究发展计划,国家高技术研究发展计划 中国科学院半导体研究所 国家高技术研究发展计划,国家高技术研究发展计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
姚飞;成步文.1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计,半导体学报,2004,25(10):1291-1295 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
