氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究

利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析。用该法可生长出正化学比的ZnO，不过生长的ZnO薄膜存在孔隙，工艺还有待进一步改进。

Growth of SiGe Films by Cold-wall UHV/CVD Using GeH_4 and Si_2H_6

国家自然科学基金,国家863计划

大功率半导体激光器光纤耦合模块的耦合光学系统

针对808nm大功率GaAs/GaAlAs半导体量子阱激光器的远场光场分布特点，提出了与多模光纤耦合时对耦合光学系统的特殊要求，并根据低成本、实用化的要求设计制作了专用的耦合光学系统，对耦合光学系统的实际性能进行了测试，给出了耦合效率统计分布图、耦合偏差曲线和高低温可靠性实验结果。用设计制作出的实用化耦合光学系统完成了输出功率15-30W，光纤束数值孔径为0.11-0.22的半导体激光光纤模合模块，模块的使用结果表明耦合光学系统稳定、高效、实用。

GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料

用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料。采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管。在发射结条宽为4μm，面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为20GHz。给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺。

在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异

运用金属有机气相外延设备，在蓝宝石衬底两相相反取向的c面上同时生长六方相氮化镓薄膜。对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究。发现这两个薄膜有许多不同之处。

Mach-Zehnder型有机极化聚合物电光调制器（英文）

制备了一种以三层聚合物为波导材料的Mach-Zehnder型电光调制器，其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料。主要制备工艺为

强增益耦合 DFB激光器单片集成自对准模式变换器（英文）

于2010-11-23批量导入

VCD和DVD用全息光栅衍射效率的分析

在VCD和DVD中由于使用了全息光学元件，全息光学读出头的元件数量比传统光头的元件数量少。分析了光盘信号探测、聚焦、循迹原理。推出了光栅衍射效率的一般计算公式，并给出了光栅沟槽形状为“方波”时光栅衍射效率的计算公式，由此计算出了VCD和DVD实用的全息光学元件的蚀刻深度。

低波长漂移的电吸收调制DFB激光器

采用端面有效反射率法，从理论上计算了单片集成电吸收调制DFB激光器(Electroabsortpion Modulated DFB Laser,EML)的腔面反射率、耦合强度(κL)对其波长漂移的影响。同时在实验中通过改变腔面的反射率来验证计算结果。理论与实验的结果表明

选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料

采用LP-MOVPE在SiO_2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱(MQW)的选择区域生长(SAG)。通过改变生长温度和生长压力，MQW的适用范围由C波段扩展至L波段，即MQW的光致发光波长从1546nm延展至1621nm。光致发光(PL)测试表明

RCE光电探测器顶部 DBR的优化（英文）

对研制的VCSEL结构外延片制成的谐振腔增强型(简称RCE)光电探测器进行了物理分析和实验研究，由于VCSEL与RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同，通过腐蚀VCSEL器件顶部DBR，改变顶镜反射率，能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的RCE光电探测器，实现VCSEL与RCE探测器的单片集成。

用新型可交联极化聚合物材料制备的脊波导有机电光调制器（英文）

制备了一种全部以聚合物为波导材料的电光调制器，其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料。旋涂制备波导薄膜、电晕极化产生非线性、光刻和氧反应离子刻蚀完成脊波导为主要的工艺步骤。1.3μm光源光纤耦合输入脊波导调制器，得到很好的输出端单模近场图及清晰的低频调制信号。

应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器

利用应变补偿的方法研制出激射波长λ≈3.5-3.7μm的量子经联激光器。条宽20μm,腔长1.6mm的In_xGa_(1x)As/In_yAl_(1-y)As量子级联激光器已实现室温准连续激射。在最大输出功率处的准连续激射可持续30mn以上。

Multiple Quantum Well SEED Arrays for Flip-Chip Bonding Optoelectronic Smart Pixels

于2010-11-23批量导入

大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器

利用分子束外延技术和S-K生长模式，系统研究了InAs/GaAs材料体系应变自组装量子点的形成和演化。研制出激射波长λ≈960nm,条宽100μnm,腔长800μm的In(Ga)As/GaAs量子点激光器