在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异


Autoria(s): 韩培德; 段晓峰; 孙家龙; 张泽; 王占国
Data(s)

2001

Resumo

运用金属有机气相外延设备,在蓝宝石衬底两相相反取向的c面上同时生长六方相氮化镓薄膜。对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究。发现这两个薄膜有许多不同之处。

运用金属有机气相外延设备,在蓝宝石衬底两相相反取向的c面上同时生长六方相氮化镓薄膜。对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究。发现这两个薄膜有许多不同之处。

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国家863计划,国家自然科学基金,国家973计划

中科院半导体所;中科院凝聚态物理中心;天津市半导体技术所

国家863计划,国家自然科学基金,国家973计划

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18643

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103959

Idioma(s)

中文

Fonte

韩培德;段晓峰;孙家龙;张泽;王占国.在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异,半导体学报,2001,22(8):1030

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文