538 resultados para Si shu

SPATIAL DISTRIBUTIONS OF IMPURITIES AND DEFECTS IN TE-DOPED AND SI-DOPED GAAS GROWN IN A REDUCED GRAVITY ENVIRONMENT

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Veja mais

STUDY OF THE QUALITY OF GAAS THIN-FILM ON SI SUBSTRATE BY X-RAY-DIFFRACTION METHOD

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Veja mais

ELECTRONIC-PROPERTIES OF THE CR-SI(111) INTERFACES

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Veja mais

PHOTOEMISSION-STUDIES OF CHEMICAL BONDING AND ELECTRONIC STATES AT THE FE/SI INTERFACE

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Veja mais

PHASE-TRANSITION OF ATOMIC STRUCTURES ON SI(113) SURFACE

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Veja mais

A STUDY ON THE INITIAL-STAGES OF AU-SI(1 1 3) INTERFACE FORMATION

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Veja mais

CHARACTERIZATION OF SI-SIO2 INTERFACE STATES IN MOS CAPACITORS BY USING DLTS TECHNIQUE

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Veja mais

REGROWTH OF MBE-GAAS FILMS ON SI SUBSTRATES BY HIGH-ENERGY ION-IMPLANTATION AND SUBSEQUENT ANNEALING

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Veja mais

THE PASSIVATING EFFECT OF SI(100)-AS SURFACE AND THE ADSORPTION OF OXYGEN

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Veja mais

ELECTRON SPECTROSCOPIC STUDIES OF THE DY/SI(111) INTERFACE

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Veja mais

NEGATIVE-U PROPERTY OF THE DX CENTER IN ALXGA1-XAS-SI

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Veja mais

HREM EXAMINATION OF ER ION-IMPLANTED IN SI

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Veja mais

HIGH-RATE ION ETCHING OF GAAS AND SI AT LOW ION ENERGY BY USING AN ELECTRON-BEAM EXCITED PLASMA SYSTEM

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Veja mais

A POSSIBLE MODEL - PHOTOTHERMAL EXCITATION VIA AN EXCITED-STATE IN THE SI-PD LEVEL

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Veja mais

SI(331)-6X2 SURFACE PHASE AND OXYGEN-CHEMISORPTION

Relevância:

20.00% 20.00%

Publicador:

Veja mais