强CO_2激光退火时离子注入Si的光学性质

本文测量了砷离子(As~+)注入的Si在连续CO_2激光辐照下光的椭圆偏振参数、反射率、表面薄层电阻率随时间的变化。从(?)、△、R、ρ的变化看出Si注入层的激光退火是在一定的时间、温度条件下迅速完成的。

扩硼Si在连续CO_2激光辐照后的特性

本文研究了高温高浓度扩硼Si在连续CO_2激光辐照后表面薄层电阻随激光功率密度和扫描速度的变化.实验发现,一定功率密度和扫描速度的CO_2激光辐照可使扩硼Si的载流子面密度提高到原来的一倍半到三倍左右.

强激光辐照下集成电路Si片的椭圆偏振光研究

<正> 用强激光辐照的方法对集成电路用的离子注入Si进行退火是近几年大力研究的一个问题。至今为止绝大多数的激光退火都是采用红宝石、YAG、氩离子等波长较短的激光器。实验虽已证实CO_2激光的退火效果完全可与其他激光比美,然而研究者甚少,且基本上限于最后结果的观测。激光作为电磁波,其趋肤深度

强CO_2激光辐照下离子注入Si反射率的动态干涉效应

本文从理论和实验研究了连续CO_2激光辐照下磷离子注入Si对He-Ne激光束反射率呈现的动态干涉效应。从反射强度随时间的变化看出,Si片离子注入层固相外延的速率在整个再结晶过程中是不均匀的。

离子注入Si在连续CO_2激光退火时的动态反射特性

本文用红外探测器测量了注磷Si在高功率连续CO_2激光辐照下反射率随时间的变化,发现在激光加热和随后冷却的过程中均出现不可逆的反射率跃升现象,这说明Si的表面载流子浓度也有着类似的变化。

力学量与国际单位制(SI)

<正> 过去我国采用的基本计量单位是米制(即公制),而今后我国将逐步推行国际单位制.采用国际单位制,牵涉较多的部门主要是工业技术、生产和教学等方面,牵涉较多的学科主要是力学专业.为此,在这里介绍国际单位制和有关的力学量单位.国际单位制(Système International d'Unités,简称SI)是一九六○年第十一届国际计量大会(CGPM)通

Preliminary-results of gaas single-crystal growth under high gravity conditions

GaAs single crystals have been grown under high gravity conditions, up to 9g0, by a recrystallization method with decreasing temperature. The impurity striations in GaAs grown under high gravity become weak and indistinct with smaller striation spacings. The dislocation density of surcharge-grown GaAs increases with increase of centrifugal force. The cathodoluminescence results also show worse perfection in the GaAs grown at high gravity than at normal earth gravity.

低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究

对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd注入后 ,衬底中主要元素 Ga2 p和 As3d的化学位移 ,以及不同计量的样品中注入的Gd4 d芯能级束缚能的变化 ,并分析了铁磁性产生的可能原因 .

离子束外延制备GaAs:Gd薄膜

　室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs∶Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点。俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点。

低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜

　利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe Si合金薄膜。利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性。测试结果表明在室温下制备的Fe Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,具有室温铁磁性。当衬底温度为300℃时制备的非晶Fe Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生,样品的铁磁性被抑制。

铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长

采用一种新的生长铁磁 /半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁 /半导体异质结材料 Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征 X射线能谱分析表明 Mn和 Sb在 Si衬底上的沉积速率相近 ,它们的原子百分数之比接近 1∶ 1.X射线衍射分析发现薄膜中形成了 Mn Sb相 ,样品在室温下测出磁滞回线也从侧面验证了存在 Mn Sb相 .用原子力显微镜对样品的表面进行观察 ,发现 Mn Sb呈有规则形状的小晶粒状 ,晶粒大小比较均匀 ,尺寸大多数在 5 0 0 nm左右 .

低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜

利用质量分离的低能离子束技术 ,获得了Fe组分渐变的Fe Si薄膜。利用俄歇电子能谱法 (AES)、X射线衍射法 (XRD)以及X射线光电子能谱法 (XPS)测试了薄膜的组分、结构特性。测试结果表明 ,在室温下制备的Fe Si薄膜呈非晶态。非晶薄膜在 40 0℃下退火 2 0min后晶化 ,没有Fe的硅化物相形成。退火后Fe Si薄膜的Fe组分从表面向内部逐渐降低。

低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体

利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子浅注入到 p型 Si单晶衬底 ,注入深度约为 4 2 nm.X射线衍射法 (XRD)对热处理样品结构分析发现只有 Si衬底的衍射峰 ,没有其他新相 .X射线光电子能谱法 (XPS)对热处理样品表面分析发现 Fe2 p束缚能对应于单质 Fe的峰 ,没有形成 Fe的硅化物 .这些结果表明重掺杂 Fe的 Si∶ Fe固溶体被制备 .电化学 C- V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布 ,发现 Fe重掺杂 Si致使 Si的导电类型从 p型转为 n型 ,Si∶ Fe固溶体和 Si衬底形成 pn结 ,具有整流特性

Undercooling and Rapid Solidification of Nb-Si Eutectic Alloys Studied by Long Drop Tube

Niobium-silicide alloys have great potential for high temperature turbine applications. The two-phase Nb/Nb5Si3 in situ composites exhibit a good balance in mechanical properties. Using the 52 in drop tube, the effect of undercooling and rapid solidification on the solidification process and micro-structural characterization of Nb-Si eutectic alloy was studied. The microstructures of the Nb-Si composites were investigated by optics microscope (OM), X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscope (SEM) equipped with X-ray energy dispersive spectrometry (EDS). Up to 480 K, deep undercooling of the Nb-Si eutectic samples was successfully obtained, which corresponds to 25% of the liquidus temperature. Contrasting to the conventional microstructure usually found in the Nb-Si eutectic alloy, the microstructure of the undercooled sample is divided into the fine and coarse regions. The most commonly observed microstructure is Nb+Nb5Si3, and the Nb3Si phase is not be found. The change of coarseness of microstructure is due to different cooling rates during and after recalescence. The large undercooling is sufficient to completely bypass the high temperature phase field.